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1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZsFDuKxG/CD9bA
Repositóriosid.inpe.br/marciana/2004/07.02.15.23
Última Atualização2004:10.29.03.00.00 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/marciana/2004/07.02.15.23.22
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.01.28.41 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-10794-PRE/6250
ISBN/ISSN0021-8979
ISSN0021-8979
Chave de CitaçãoNubileZaBoGrPoClRo:1992:DeChGa
TítuloDefect Characterization in Gaalinas Alloys
ProjetoCELSOL: Células solares
Ano1992
MêsOct.
Data de Acesso18 maio 2024
Tipo SecundárioPRE PI
Número de Arquivos1
Tamanho616 KiB
2. Contextualização
Autor1 Nubile, Paulo
2 Zazoui, M
3 Bourgoin, J. C.
4 Grey, R.
5 Powell, A. l.
6 Claxton, P. A.
7 Rockett, P. I.
Identificador de Curriculo1 8JMKD3MGP5W/3C9JJ3D
Grupo1 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
2 Groupe de Physiue des Solides de l'Université Paris, Centre National de la Recherche Scientifique
3 Groupe de Physiue des Solides de l'Université Paris, Centre National de la Recherche Scientifique
4 University of Sheffield, Department of Electronic and Electrical Engineering
5 University of Sheffield, Department of Electronic and Electrical Engineering
6 University of Sheffield, Department of Electronic and Electrical Engineering
7 University of Sheffield, Department of Electronic and Electrical Engineering
RevistaJournal of Applied Physics
Volume72
Número8
Páginas3530-3534
Histórico (UTC)2004-10-29 12:43:33 :: sergio -> administrator ::
2006-09-28 22:36:11 :: administrator -> sergio ::
2008-01-07 12:49:55 :: sergio -> marciana ::
2008-02-27 11:56:46 :: marciana -> administrator ::
2018-06-05 01:28:41 :: administrator -> marciana :: 1992
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Palavras-ChaveMATERIALS PHYSICS
DLTS
Defects
DX center
Deep
FÍSICA DE MATERIAIS
Defeitos
ResumoDeep level transient spectroscopy (DLTS) and capacitance-voltage measurements at various temperatures have been used to characterize defects in Si-doped (Ga1-xAlx)1-yInyAs materials for x = 0.3 and different values of y (0, 0.005, and 0.07). We only detect DX centers, those associated with the doping impurity (Si), but also others associated with Te and, eventually, Sn not introduced intentionally. When the experimental conditions are chosen to obtain exponential transients, the shape of the DLTS spectrum and its variation with the filling pulse duration can be accounted for by this contamination; i.e., no sip of the so-called alloying effect is detected.
ÁreaFISMAT
Arranjourlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Defect Characterization in...
Conteúdo da Pasta docacessar
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4. Condições de acesso e uso
URL dos dadoshttp://urlib.net/ibi/6qtX3pFwXQZsFDuKxG/CD9bA
URL dos dados zipadoshttp://urlib.net/zip/6qtX3pFwXQZsFDuKxG/CD9bA
Idiomaen
Arquivo Alvodefect characterization.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
marciana
sergio
Visibilidadeshown
Detentor da CópiaSID/SCD
Política de Arquivamentoallowpublisher allowfinaldraft
Permissão de Leituraallow from all
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
Lista de Itens Citandosid.inpe.br/mtc-m21/2012/07.13.14.57.56 1
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES; COMPENDEX.
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel documentstage doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress readergroup rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
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